NieuwsaandelenNeutraal12u geleden
Mitsubishi Electric toont eerste rem op frequentiespreiding in GaN-transistors
Mitsubishi Electric heeft als eerste ter wereld aangetoond dat frequentiespreiding door kristaldefecten in GaN-transistors sterk te verminderen is. De transistors gebruiken een GaN-epitaxielaag op een GaN-substraat.
Wil je dit soort signalen real-time en gefilterd op jouw eigen watchlist?
Krijg push-meldingen, dieptanalyses en data-edge inzichten, afgestemd op de assets die jij volgt.
Probeer Premium 14 dagen voor €1Eerst een gratis overzicht? Start met Vermogensbeeld
Beleggen kent risico's. Educatief, geen advies.